光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)高性能量子點(diǎn)光刻膠，助力Micro-LED全彩顯示技術(shù)突破

　　近日，湖北光谷實(shí)驗(yàn)室傳來好消息，該實(shí)驗(yàn)室與華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院、光電子器件與三維集成團(tuán)隊(duì)以及廣納珈源(廣州)科技有限公司合作，成功研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠(QD-PR)。這一創(chuàng)新成果有望為Micro-LED全彩顯示技術(shù)帶來重大突破，推動AR、VR等領(lǐng)域的發(fā)展。

　　Micro-LED顯示技術(shù)因其高分辨率、高亮度、高對比度、寬色域等優(yōu)勢而備受關(guān)注。然而，實(shí)現(xiàn)全彩化顯示一直是該技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)之一。目前主流的RGB三色micro-LED全彩技術(shù)存在諸多問題，如巨量轉(zhuǎn)移次數(shù)多、成本高昂、驅(qū)動控制電路復(fù)雜等。此外，隨著micro-LED尺寸的減小，紅色LED的發(fā)光效率急劇下降，進(jìn)一步加劇了全彩化顯示的難度。

　　為了解決這些問題，研究團(tuán)隊(duì)采用了單色藍(lán)光micro-LED激發(fā)綠色和紅色熒光材料的方法，以實(shí)現(xiàn)全彩化顯示。而膠體量子點(diǎn)因其發(fā)光半峰寬窄、顏色可調(diào)、效率高、粒徑小等優(yōu)異性能，成為配合藍(lán)光micro-LED的理想熒光材料。

　　在實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)像素化的過程中，光刻技術(shù)因其高精度和獲得的量子點(diǎn)像素小而備受青睞。然而，當(dāng)前量子點(diǎn)光刻技術(shù)仍存在發(fā)光效率低、像素精度不夠高、藍(lán)光轉(zhuǎn)換效率低、穩(wěn)定性差等問題。針對這些問題，研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了高性能量子點(diǎn)光刻膠(QD-PR)。

　　據(jù)悉，該量子點(diǎn)光刻膠的藍(lán)光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到44.6%(綠色)和45.0%(紅色)，光刻精度達(dá)到1um，各項(xiàng)性能指標(biāo)均為行業(yè)領(lǐng)先水平。基于這一高性能的量子點(diǎn)光刻膠，研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高精度的量子點(diǎn)像素，并展示了其在顯示應(yīng)用方面的潛力。

　　此外，這些量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換像素還表現(xiàn)出優(yōu)異的穩(wěn)定性。在空氣中75℃加熱120小時后，仍能保留原始發(fā)光性能的92.5%(紅色)和93.4%(綠色)。通過紅綠量子點(diǎn)套刻，配合藍(lán)色面光源，研究團(tuán)隊(duì)獲得了高精度的基于量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換像素的靜態(tài)圖案，進(jìn)一步驗(yàn)證了該量子點(diǎn)光刻膠的顯示應(yīng)用潛力。